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安徽金安区加快推进氢能产业发展工作推进会召开

2025-07-04 10:54:12亲子时光 作者:admin
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其中,金安进氢进博士生胡瑞金同学为第一作者,金安进氢进王军转副教授和余林蔚教授为共同通讯作者,研究工作得到了南京大学徐骏教授、施毅教授和陈坤基教授的悉心指导和大力支持通过此技术可以大幅压缩FET器件的沟道投影面积,区加有望应用于利用较低光刻节点技术(例如N65~90纳米)实现等效于N5节点技术的更高器件集成密度。

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随着堆叠层数增加(以提供更大电流驱动),金安进氢进其制备成本将不断提高,并给保持分立沟道尺寸均匀性带来技术挑战。顺应摩尔定律的发展,区加大规模集成电路已经推进到N3-5纳米技术节点,而其中极深紫外光刻工艺却成为我国所面临的掐脖子技术之一。

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联系人:快推余林蔚,[email protected]本文由南京大学电子学院余林蔚教授投稿。

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